4月29日,宏微科技(688711)败露2025年年度敷陈。敷陈期内,公司杀青商业收入13.48亿元,同比增长1.23;包摄于上市公司推进的净利润1711.49万元,同比杀青扭亏为盈。
行业回暖重叠结构化,全年功绩杀青扭亏
2025年全国半体市集不竭蔓延,行为中枢增长引擎,突显市集后劲与国产替代空间。同期,功率半体已度融入全国“碳中庸”政策与智能化波涛,其下流行使从传统工业收尾、破钞电子拓展至新动力汽车、储能、数据中心及东说念主形机器东说念主等新兴域,技巧转变与场景需求共同动行业发展。
年报败露,2025年宏微科技全年杀青营收和利润双增娄底不锈钢保温厂家,毛利率同比回升,筹画质料不竭。公司默示,敷陈期内功率半体行业景气度回升,公司居品结构和客户结构不停化,同期公司对长账龄呆滞存货履行汇集计帐科罚,金钱减值耗费算提限度同比权贵下跌,共同驱动盈利水平大幅擢升。
研发插足不竭加码,技巧后果加快落地
敷陈期内,公司聚焦功率半体中枢技巧迭代,连续保持研发插足强度,重要居品完成成就、认证、量产与客户入。年报败露,2025年公司研发插足计1.15亿元,同比增长5.10;研发插足总数占商业收入比例为8.56,较上年擢升0.32个百分点。
联系人:何经理芯片居品面,公司1000V/1200V M7iU系列IGBT和M7d FRD芯片已完成成就和认证,并杀青量产;公司款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制告成并通过可靠考据;公司自主研发的GaN 650V 75mohm芯片研制告成,已通过可靠考据,正进入客户入阶段。
模块居品面,公司依托自主研制的M7i芯片平台完成系列化功率模块居品成就;光伏用1000V三电牢固制模块成就告成并大宗量录用,管道保温施工储能用650V三电平居品杀青批量录用;不终止电源系统定制的三电平SiC混模块完成成就并杀青批量供货。
SiC、GaN同步进,“体两翼”布局新兴行使场景
公司默示,以SiC和GaN为代表的三代半体快速浸透,正在重塑产业竞争神情。宏微科技的研发与居品布局,正从传统工业收尾、新动力发电等域,超过蔓延至端算力电源、数据中心动力率擢升、工程机械电动化等行使向。
年报败露,公司自主研发的NCB SiC模块告成通过国外主流AI做事器厂商整机认证,杀青小批量供货,运转切入端算力电源中枢供应链。与此同期,公司与北京怀柔实验室达成SiC技巧后果改换政策作,汇集资源攻克压大电流SiC芯片技巧。GaN面,子公司宏微赛650V GaN HEMT芯片研发告成,并斩获行光2025年度秀居品。公司默示,该居品凭借三代半体技巧平台带来的能打破,有镌汰功耗,擢升数据中心动力率。
面向2026年,宏微科技默示,将信守“体两翼”政策,镇定硅基IGBT/FRD居品基本盘,同期加快SiC、GaN居品增量赛说念的量产改换,拥抱国政策和智能化波涛,布局AIDC、东说念主形机器东说念主、低空经济、核聚变、智能电网五大域,耕产业沃土、握发展机遇,以异的功绩薪金推进信任,以杰出的孝顺回馈社会相沿。
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